11.09.2006.
Samsung je napravio prvi radni prototip memorijskog čipa koji bi, prema njihovim riječima, trebao zamijeniti NOR flash memoriju u idućem desetljeću.
PRAM (Phase-change Random Access Memory) čip kombinuje najbolje iz oba svijeta – brz rad RAM memorije i mogućnost pohranjivanja podataka na duže
vrijeme, kao što je to slučaj kod flash memorije. Prototip čipa je kapaciteta 512 megabajta, a prema tvrdnjama kompanije, do 30 puta je brži od
klasične flash memorije uz 10 puta duži životni vijek.
Prednost nove tehnologije je i ta što je za proizvodnju ovakvih čipova potrebno dvadeset posto manje proizvodnih koraka nego u prethodnom slučaju, dok
je istovremeno jedna ćelija PRAM čipa upola manja nego kod NOR čipa.
Prvi komercijalni primjeri od 512 megabajta očekuju se negdje u 2008. godini.
Izvor: BUG
